सामसङले सन् २०२५ मा ठूलो मात्रामा २ एनएम चिप्स उत्पादन गर्ने

काठमाडौं ।

सामसङको फाउण्ड्री व्यवसायले आफ्ना नवीनतम चिप उत्पादन प्रक्रियाहरू (३एनएम र ४एनएम) मार्फत ग्राहकहरूलाई आकर्षित गर्न कठिनाइहरूको सामना गरिरहेको छ। यस चुनौतीको बावजुद, कम्पनी सक्रिय रूपमा २ एनएम प्रक्रियासहित अझ उन्नत प्रविधिको विकासको साथ अगाडि बढिरहेको एक रिपोर्टमा भनिएको छ।

यो २ एनएम प्रक्रियाले अर्को पुस्ताको गेट–अराउन्ड ट्रान्जिस्टर (जीएए) प्रविधिको प्रयोग गर्नेछ, जुन सन् २०२५ मा ठूलो मात्रामा उत्पादन हुने अपेक्षा गरिएको छ। सामसङले आगामी उद्योग सम्मेलनहरूमा यो प्रविधि प्रदर्शन गर्ने उल्लेख छ।

जीएए आफैंमा नयाँ ट्रान्जिस्टर डिजाइन भएको र यसले राम्रो करेन्ट फ्लो (बिजुली/विद्युत प्रवाह) को लागि अनुमति दिएर इफिसियन्सी र पर्फमेन्स सुधार गर्ने जनाइएको छ। सामसङले आफ्नो ३एनएम प्रक्रियामा जीएए प्रविधि पहिलो पटक प्रस्तुत गरेको भए तापनि अहिलेसम्म, तिनीहरूको आफ्नै एक्सिनोस प्रोसेसरहरूले मात्र यसको फाइदा उठाएको उल्लेख गरिएको छ।

त्यसैगरी, ५एनएम चिप्सको तुलनामा पहिलो पुस्ताको ३एनएम जीएए चिपले एरिया रिडक्सन, पर्फमेन्स र इनर्जी इफिसिएन्सीमा महत्त्वपूर्ण सुधारहरू प्रदान गर्ने थप उल्लेख गरिएको छ।

यसबाहेक, सामसङले सन् २०२४ मा दोस्रो पुस्ताको ३ एनएम जीएए प्रविधि प्रयोग गरेर ठूलो मात्रामा चिप्स उत्पादन गर्ने योजना बनाएको छ।

कम्पनीको मुख्य प्रतिस्पर्धी मानिएको टीएसएमसीले अझै पनि जीएए प्रविधि नअपनाएको र दुबै कम्पनीहरू (इन्टेल सहित) ले उनीहरूको आगामी २ एनएम प्रक्रियाहरूमा यो प्रविधि प्रयोग गर्ने अपेक्षा गरिएको गीज्मोचाइनाले रिपोर्टमा भनेको छ।