काठमाडौं ।
सामसङले आफ्ना ग्राहकहरूलाई यो वर्षको उत्तरार्धमा सुधारिएको एचबीएम४ई को नमूनाहरू पठाउने वाचा गर्दै गत फेब्रुअरीमा एचबीएम४ मेमोरी ढुवानी गर्न सुरु गरेको थियो। नयाँ भेरियन्टमा उही १२–लेयर (तह) डिजाइनको साथ बढी क्षमता भएको र अब उच्च ब्यान्डविथ प्रदान गर्ने भएको छ।
सामसङ एचबीएम४ई डिजाइनमा हाल १२–लेयर कन्फिगरेसन रहेको र त्यसले ४८जीबी क्षमतामा काम गर्ने बताइएको छ। साथै यो एचबीएम४ को ३६जीबी भन्दा माथि भएको उल्लेख गरिएको छ। सामसङले आफ्ना ग्राहकहरूलाई उनीहरूको डिजाइनहरू निर्माण गर्दा थप विकल्पहरू प्रदान गर्न ३२जीबी (८–लेयर) र ६४जीबी (१६–लेयर) भेरियन्टहरू पनि विकास गरिरहेको जीएसएमएरिनाले रिपोर्ट गरेको छ।
क्षमतामा ३३ प्रतिशत वृद्धिको अतिरिक्त एचबीएम४ई लगभग २० प्रतिशत छिटो भएको बताइएको छ भने अब प्रति–पिन गति १४जीबीपीएस र प्रति स्ट्याक कुल ३.६ टेराबाइट प्रति सेकेन्ड रहेको उल्लेख गरिएको छ। तुलनाको लागि, एचबीएम४ को प्रति पिन ११.७जीबीपीएस र प्रति स्ट्याक ३.६ टेराबाइट प्रति सेकेन्ड रहेको छ।
एचबीएम४ई प्रविधि मेमोरी डाइज र ४एनएम लजिक बेस डाइको लागि छैठौं पुस्ताको “१सी” (१०एनएम क्लास) को संयोजन हो। सामसङले १६ प्रतिशतले ऊर्जा दक्षता सुधार गर्न डिजाइनमा पुनः काम गरेको बताइएको छ र त्यसको अर्थ मेमोरीले अब कम पावर प्रयोग गर्दै कम ताप उत्पन्न गर्ने उल्लेख गरिएको छ। त्यसैगरी नयाँ डिजाइनले थर्मल रेसिस्टेण्टलाई कम्तिमा १४ प्रतिशतले घटाउने र मेमोरीलाई सहज रुपमा चिसो पार्ने छ।
सामसङले एचबीएम४ मेमोरी उत्पादन गर्ने अफ्नो क्षमतामा वृद्धि हुँदै गएको र नयाँ एचबीएम४ईले एआई प्रणालीहरूलाई अझ बढी गति दिने बताएको छ। साथै डिजाइनमा सुधारको लागि ठाउँ रहेको र भविष्यमा १४जीबीपीएस ब्यान्डविथलाई १६जीबीपीएसमा बढाउन सकिने उल्लेख गरिएको छ।
“एचबीएम४ को सफल बृहत् उत्पादन पछि, सामसङले एचबीएम४ई सँग फेरि एक पटक आफ्नो विशिष्ट प्राविधिक धार प्रदर्शन गरेको छ। हाम्रो उन्नत उत्पादन क्षमता र पूर्वाधार लगानी मार्फत, हामी विश्वव्यापी एआई मेमोरी बजारको वृद्धिलाई निरन्तर अगाडि बढाउनेछौं,” सामसङ इलेक्ट्रोनिक्सका कार्यकारी उपाध्यक्ष र मेमोरी विकास प्रमुख सङ जुन ह्वाङले भने।
प्रकाशित: १८ जेष्ठ २०८३, सोमबार
