काठमाडौं ।
आईबीएम तथा सामसङले आफूहरुले सेमिकन्डक्टर चिप डिजाइन गर्न लागेको बताएका छन्।
सान फ्रान्सिस्कोमा आईईडीएम कन्फ्रेन्सको एक दिन अगाडि यी दुई कम्पनीले चिपमा राख्न मिल्ने ट्रान्जिस्टरको डिजाइन सार्वजनिक गरेका छन्।
हाल विद्यामान चिप तथा ट्रान्जिटर सिलिकनको सतहमा रहन्छन् भने यसमा इलेकट्रिक करेन्ट दाया-बायाँ बग्ने गर्छ। यसको ठिक उल्टो भर्टिकल ट्रान्सपोर्ट फिल्ड इफेक्ट ट्रान्जिस्टर भने एक अर्कामा समलम्ब भएर रहन्छन् भने करेन्ट माथिदेखि तल बग्दछ।
आईबीएम तथा सामसङको साझेदारीमा बन्ने यो डिजाइनको दुई ओटा फाइदा रहेका छन्। पहिलो यसले थुप्रै प्रदर्शन सीमिततालाई पछाडि छोडेर १ नानोमिटर थ्रेसहोल्ड भन्दा पनि पर पुग्छ।
करेन्ट बहने शक्तिका कारण यसको डिजाइनले कम उर्जा नष्ट गर्छ।
अर्को विशेषता भनेको भीटीएफईटीलाई प्रोसेसरको कार्य दुई गुना बढाउन तथा ८५ प्रतिशतभन्दा कम उर्जा खपत गर्नका लागि फिनफेट ट्रान्जिस्टरसँग डिजाइन गरिएको बताइएको छ।
यी दुई कम्पनीले यो डिजाइनलाई व्यावसायिक गर्ने यकिन मिति सार्वजनिक गरेका छैनन्। १ नानोमिटरको सीमिततालाई चिर्ने प्रयासमा लागेकाहरुमा यी दुई कम्पनी मात्र छैनन्। गत जुलाइमा इन्टेलले सन् २०२४ भित्र आफ्नो एङ्स्टोग्राम-स्केल चिपको डिजाइन टुंगो लगाउने बताएको थियो।
प्रकाशित: २६ मंसिर २०७८, आईतवार
