काठमाडौं ।
चीनको बुहानमा रहेको जेएफएस ल्याबोरटरीका रिसर्चर्स (अनुसन्धानकर्ताहरू) हरूले हाई–पर्फमेन्स (उच्च कार्यसम्पादन गर्ने) फोटोनिक डिभाइसहरूको विकासमा सफलता हासिल गरेका छन्। उक्त कस्ट–इफेक्टिभ चिपले डिभाइसहरूको निर्माण प्रक्रियालाई सरल बनाउने उल्लेख गरिएको छ।
यस प्रगतिको मुख्य तत्व वेफर बोन्डिङ भनिने प्रविधिमा निहित रहेको जनाइएको छ। फेब्रुअरी महिनामा, अनुसन्धानकर्ताहरूले सफलतापूर्वक ८ इन्चको सिलिकन फोटोनिक्स वेफरलाई लिथियम निओबेट वेफरसँग बोन्ड (जोड्ने) गरेको उल्लेख छ। यो संयुक्त संरचनाले प्रभावकारी रूपमा डाटा–क्यारियिङ्ग लाईट सिग्नल्स (डाटा बोक्ने प्रकाश संकेतहरू) प्रसारण गर्न र प्राप्त गर्न सक्षम शक्तिशाली नयाँ डिभाइस बनाउने छ।
त्यसैगरी यो प्रविधिले विभिन्न क्षेत्रमा ठूलो प्रभाव पार्ने अपेक्षा गरिएको छ। एप्लिकेसनहरूमा फाईभजी वायरलेस कम्युनिकेशन (ताररहित संचार), अप्टिकल कम्युनिकेशन इन्फास्ट्रक्चर (सञ्चार पूर्वाधार) र एयरोस्पेस इन्जिनियरिङ पनि समावेश रहेको जनाइएको छ भने हाई इलेक्ट्रो–अप्टिकल पर्फमेन्समा निर्भर हुने कुनै पनि क्षेत्रले यसबाट फाइदा लिन सक्ने बताईएको छ।
यस नयाँ चिपका फाइदाहरू स्पष्ट भएतापनि अन्य विधिहरूको तुलनामा सञ्चारका लागि लाईट सिग्नल्स उत्कृष्ट भएको दाबी छ।
यस अनुसन्धानले हाई–स्पीड (उच्च–गति), रिलायबल (भरपर्दो) डाटा ट्रान्समिसनमा भर पर्ने विभिन्न प्रविधिहरूमा प्रगतिको लागि मार्ग बनाउनका लागि मद्दत गर्ने गीज्मोचाइनाले उल्लेख गरेको छ।
प्रकाशित: ६ चैत्र २०८०, मंगलवार
