ह्वावेले सन् २०२६ मा ३एनएम चिप्स बनाउने

काठमाडौं ।

ह्वावेले ईयूभी लिथोग्राफी मेसिनको आवश्यकता बिना नै वास्तविक ५ एनएम प्रोडक्सन लाइन विकास गरिरहेको छ। यसबाहेक, ३ एनएम चिप्स पहिले नै आर एन्ड डी चरणमा रहेको र सन् २०२६ सम्ममा उत्पादन सुरु गर्ने योजना रहेको यूडीएनको रिपोर्टले बताएको छ।

डच कम्पनी एएसएमएलले ईयूभी प्रविधि पेटेन्ट गरेको हुनाले ह्वावेले मानक ईयूभी प्रविधि प्रयोग गर्न नपाउने बताइएको छ। साथै यो डच कम्पनीलाई चिनियाँ निर्मातासँग काम गर्न प्रतिबन्ध लागाइएको छ। यसको सट्टा, कम्पनीले सांघाई माइक्रो इलेक्ट्रोनिक्स (एसएमईई) द्वारा निर्मित बहु–ढाँचाको साथ एसएसए८०० लिथोग्राफी मेसिनहरू प्रयोग गरिरहेको उल्लेख छ।

३एनएम चिप्सको लागि रिसर्च एण्ड डेभलपमेण्टले दुईवता तरिकाहरू पछ्याएको बताइएको छ। एउटा जीएए आर्किटेक्चर (टीएसएमसी र सामसङद्वारा प्रयोग गरिएको मानक) र अर्को कार्बन नानोट्यूब–आधारित चिप भएको बताइएको छ जसले पहिले नै ल्याब भ्यालिडेसन (प्रमाणीकरण) पूरा गरिसकेको छ भने अब एसएमआईसीको उत्पादन लाइनहरूको लागि अनुकूलित भइरहेको उल्लेख छ।

यस महिनाको सुरुमा आएको ह्वावे मेटबुक फोल्डमा किरिन एक्स९० समावेश गरिएको छ। कम्पनीले यसलाई “५एनएम चिप” भने पनि वास्तवमा यो उन्नत प्याकेजिङ प्रविधि भएको ७एनएम डिजाइन भएको उल्लेख गरिएको छ। यसले अन्य ५एनएम चिपहरू जस्तै पर्फमेन्स गरे पनि ती मध्ये केवल आधा मात्र राम्रो हुने बताइएको छ जसले गर्दा चिप उत्पादन गर्न महँगो हुनेछ भनि जीएसएमएरिनाले उल्लेख गरेको छ।