काठमाडौं ।
सामसङ इलेक्ट्रोनिक्सले ३एनएम प्रविधिको प्रोसेसर निर्माण गर्न शुरु गरेको छ।
यो ३एनएम प्रोसेस नोड गेट-अल-राउण्ड जीएए ट्रान्जिस्टर आर्किटेक्चरमा बनेको डिजिटाइम्सले जनाएको छ।
यो चिप निर्माणका लागि पहिलो पटक सामसङको जीएए प्रविधि मल्टि-ब्रिज-भ्यालन फेट प्रयोगमा ल्याइएको र यसले फिनफेटमा हुने प्रविधि सीमिततालाई चिर्ने, सप्लाइ भोल्टेज लेबल घटाएर उर्जा खपतमा सुधार ल्याउने तथा ड्राइभ करेन्ट कम्प्याटिबिलिटी बढाएर पर्फर्मेन्स बढाउने कम्पनीको दावी छ।
सामसङले उच्च कार्यक्षमताका लागि पहिलो पटक नानोशीट ट्रान्जिस्टर, कम उर्जा खपत गर्ने कम्प्युटिङ एप्लिकेशनको प्रयोग गरेको साथै यसलाई मोबाइल प्रोसेसरमा विस्तार गर्ने योजना बनाएको बुझिएको छ।
‘निर्माणमा फाउन्ड्री उद्योगको पहिलो हाइ-के मेटल गेट, फिनफेट तथा ईयूभीजस्ता नेक्स्ट जेनेरेशन प्रविधि प्रयोग गर्ने कुरामा नेतृत्व लिने निरन्तरताका कारण सामसङले तीव्र रुपमा प्रगति गरिरहेको छ। हामी यो नेतृत्वलाई एमबीसीफेटयुक्त विश्वकै पहिलो ३एनएम प्रोसेस चिपका लागि पनि निरन्तरता दिन चाहन्छौं’, सामसङ इलेक्ट्रोनिक्सका अध्यक्ष तथा फाउन्ड्री व्यवसायका प्रमुख सियङ चोईले एक विज्ञप्तिमा उल्लेख गरेका छन्।
उनले आफूहरु प्रविधिको परिपक्वताका लागि प्रतिस्पर्धी प्रविधि विकास तथा निर्माण प्रक्रियामा इनोभेशन ल्याउन लागिपर्ने पनि बताएका छन्।
प्रकाशित: १६ असार २०७९, बिहीबार
